晶体生长_晶体生长

晶成长证券明星消息，据企查查数据显示，晶盛机电（300316）新获得一项发明专利授权。该专利名称为“晶体生长炉”，专利申请号为CN202211308619.X，授权日期为2024年3月12日。专利摘要：本发明涉及一种晶体生长炉。长晶炉包括机架、升降杆、控制机构、炉腔和密封机构。控制机构设置在机器上。

一种晶体生长装置环栅晶体管(100),包括衬底(01)和位于衬底(01)上的鳍状结构(02)、源极(031)、漏极(032)、内部隔离部分(04)和栅极结构(05)。由于内部隔离部（04）是通过氧化源极（031）靠近侧壁（051）的一侧和漏极（032）靠近侧壁（051）的一侧形成的，因此源极（031）靠近侧壁（051）的一侧形成内部隔离部（04）。 031）和外延生长期间漏极（032）是否沿着牺牲线？

晶体生长炉格隆汇3月7日，晶运通（601908）（601908.SH）在投资者互动平台表示，我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体，正在优化生长工艺。尚未出售。免责声明：内容来源于互联网。若侵犯您的权益，请及时发邮件给作者删除。合作提交投诉：zhuenejk@163.com

晶体生长原理据金融行业2024年3月9日消息，根据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司已申报项目名称为“一种钝化层与绝缘层的生长方法”栅极双极晶体管晶圆”。专利号CN117672814A，申请日为2023年11月。专利摘要显示，本发明实施例提供了一种钝化层生长方法及绝缘栅双极晶体管晶圆。

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晶体生长视频财经讯2024年3月19日，根据国家知识产权局公告，北京大学申请的项目名称为“基于二维材料电极边缘生长的晶体管制备及极性控制方法”，公开号CN117727635A ，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于电极边缘二维材料生长的晶体管制备及极性控制方法。是通过调整来调整的！

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2024年2月29日，某上市长晶设备公司金融板块消息，根据国家知识产权局公告，天通控股股份有限公司已获得授权公告号为“A大尺寸长晶设备”的授权公告。一种基于自动填充的蓝宝石晶体生长方法”CN117418313B，申请日为2023年12月。专利摘要显示，本发明属于蓝宝石晶体技术领域，具体涉及一种基于自动填充的大尺寸蓝宝石。

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晶体生长技术器具有进水管和出水管，进水管和出水管分别连接至环形体。本发明实施例能够通过接触传导的方式将单晶硅棒的热量快速传导至环形体，并通过环形体和出水管将热量传导至单晶硅棒拉制装置的外部，改进单晶硅棒拉制装置。晶体硅棒的纵向温度梯度和晶体生长速率。本文来自金融界

2024年2月22日金融行业消息，据国家知识产权局公告，广东风华高科技有限公司已获得授权公告号CN115058686B，名称为“一种晶体生长方法”调控铂膜层晶体生长取向》，申请日为2022年6月。专利摘要显示，本发明属于温敏材料技术领域，涉及一种控制铂膜层晶体生长取向的小毛猫。铂膜层。

模拟晶体生长证券明星消息，据企查查数据显示，风华高科（000636）新获得一项发明专利授权。该专利名称为“一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法”，专利申请号为CN202210695225.8，授权日期为2024年2月20日。温度传感材料，涉及一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法。

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2024年2月1日财经新闻：据国家知识产权局公告，隆基绿色能源科技有限公司已获得授权公告号CN114686968B，名称为“一种晶体生长控制方法及装置及晶体”生长设备”，申请日期为2020年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种晶体生长控制方法及装置、晶体生长设备，涉及晶体拉制等，我将继续。